SI4682DY-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 2.5W Ta, 4.45W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1595pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 4.45W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4682DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI4682DY-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 当前型号 | |
型号: SI4174DY-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | SI4682DY-T1-GE3和SI4174DY-T1-GE3的区别 |