SI2311DS-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI2311DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 710mW Ta
漏源极电压Vds 8 V
连续漏极电流Ids -3.00 A
输入电容Ciss 970pF @4VVds
耗散功率Max 710mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2311DS-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI2311DS-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2311DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | 搜索库存 |
替代型号SI2311DS-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI2311DS-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-3 P-Channel 8V 3A 45mΩ | 当前型号 | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | 当前型号 |
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