耗散功率 236mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 265pF @15VVds
耗散功率Max 236mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SC-89-6
长度 1.66 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1073X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173mohms @ 10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI1073X-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SC-89-6 | 当前型号 | MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173mohms @ 10V | 当前型号 | |
型号: SI1073X-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SC-89-6 P-Channel 30V 980mA | 完全替代 | MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173mohms @ 10V | SI1073X-T1-E3和SI1073X-T1-GE3的区别 | |
型号: SI1067X-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SC-89-6 P-Channel 20V 1.06A | 类似代替 | MOSFET 20V 1.06A 0.0236W 150mohms @ 4.5V | SI1073X-T1-E3和SI1067X-T1-GE3的区别 | |
型号: SI1071X-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-563 P-Channel 960mA | 类似代替 | MOSFET 30V 0.96A 0.236W 167mohms @ 10V | SI1073X-T1-E3和SI1071X-T1-E3的区别 |