SI7452DP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI7452DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.9W Ta
漏源极电压Vds 60 V
耗散功率Max 1.9W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7452DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7452DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7452DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SI7452DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7452DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | MOSFET 60V 19.3A 5.4W 8.3mohm @ 10V | 当前型号 |
| 型号： SI7478DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT | 完全替代 | MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8 | SI7452DP-T1-GE3和SI7478DP-T1-GE3的区别 |