SI4880DY-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4880DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | 搜索库存 |