SI1307DL-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 290mW Ta
漏源极电压Vds 12 V
耗散功率Max 290mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
封装 SC-70-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1307DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3 | 搜索库存 |