SI4892DY-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4892DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.6W Ta
漏源极电压Vds 30 V
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4892DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4892DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4892DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4892DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SO-8 | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4892DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SO-8 | 类似代替 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.01Ω; ID 8.8A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-20V; -55d | SI4892DY-T1-GE3和SI4892DY-T1-E3的区别 |
| 型号： SI4134DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 类似代替 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | SI4892DY-T1-GE3和SI4134DY-T1-E3的区别 |
| 型号： SI4134DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC | 功能相似 | VISHAY SI4134DY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 14A, 30V, 11.5mohm, 10V, 1.8V | SI4892DY-T1-GE3和SI4134DY-T1-GE3的区别 |