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SUD40N02-3M3P-E3

SUD40N02-3M3P-E3

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252

表面贴装型 N 通道 20 V 24.4A(Ta),40A(Tc) 3.3W(Ta),79W(Tc) TO-252,(D-Pak)


得捷:
MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3


SUD40N02-3M3P-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.3W Ta, 79W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 6520pF @10VVds

耗散功率Max 3.3W Ta, 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SUD40N02-3M3P-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SUD40N02-3M3P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252 搜索库存
替代型号SUD40N02-3M3P-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SUD40N02-3M3P-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-252

当前型号

MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252

当前型号

型号: STD38NH02LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 24V 38A 15mohms

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SUD40N02-3M3P-E3和STD38NH02LT4的区别

型号: SUD42N03-3M9P-GE3

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-252-3 N-Channel

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SUD40N02-3M3P-E3和SUD42N03-3M9P-GE3的区别

型号: SUM40N02-12P-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: D2PAK

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SUD40N02-3M3P-E3和SUM40N02-12P-E3的区别