
耗散功率 3.3W Ta, 79W Tc
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 6520pF @10VVds
耗散功率Max 3.3W Ta, 79W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SUD40N02-3M3P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SUD40N02-3M3P-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252 | 当前型号 | MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252 | 当前型号 | |
型号: STD38NH02LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 24V 38A 15mohms | 功能相似 | N沟道24V - 0.011ohm - 38A - DPAK / IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.011ohm - 38A - DPAK/IPAK STripFET TM III Power MOSFET | SUD40N02-3M3P-E3和STD38NH02LT4的区别 | |
型号: SUD42N03-3M9P-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252-3 N-Channel | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 42A TO252 | SUD40N02-3M3P-E3和SUD42N03-3M9P-GE3的区别 | |
型号: SUM40N02-12P-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 功能相似 | MOSFET 20V 40A 83W 12mohm @ 10V | SUD40N02-3M3P-E3和SUM40N02-12P-E3的区别 |