SUD50N03-16P-E3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 30V TO252

表面贴装型 N 通道 15A（Ta），37A（Tc） 6.5W（Ta），40.8W（Tc） TO-252AA

得捷:
MOSFET N-CH 30V TO252

SUD50N03-16P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 6.5W Ta, 40.8W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1150pF @25VVds

耗散功率Max 6.5W Ta, 40.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SUD50N03-16P-E3引脚图与封装图

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替代型号SUD50N03-16P-E3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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