耗散功率 1.14W Ta
漏源极电压Vds 30 V
耗散功率Max 1.14W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI3424DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI3424DV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TSOP-6 | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP | 当前型号 | |
型号: SI3424DV-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TSOP N-Channel 30V 5A 28mΩ | 类似代替 | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP | SI3424DV-T1-GE3和SI3424DV-T1-E3的区别 | |
型号: BSL802SNL6327 品牌: 英飞凌 封装: TSOP N-Channel 20V 7.5A | 功能相似 | 20V,7.5A功率MOSFET | SI3424DV-T1-GE3和BSL802SNL6327的区别 | |
型号: SI3424CDV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TSOP-6 | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP | SI3424DV-T1-GE3和SI3424CDV-T1-GE3的区别 |