SUM110N03-03P-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SUM110N03-03P-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.75W Ta, 375W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 12100pF @25VVds
耗散功率Max 3.75W Ta, 375W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SUM110N03-03P-E3引脚图与封装图
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在线购买SUM110N03-03P-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUM110N03-03P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 30V 110A 375W 2.6mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SUM110N03-03P-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUM110N03-03P-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 当前型号 | MOSFET 30V 110A 375W 2.6mohm @ 10V | 当前型号 |
| 型号： SUM90N03-2M2P-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3Pin2+Tab TO-263 | SUM110N03-03P-E3和SUM90N03-2M2P-E3的区别 |
| 型号： SUM110N03-03 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SUM110N03-03P-E3和SUM110N03-03的区别 |