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SIT8918AE-11-18E-66.666667E

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 1.8V, 66.666667MHz, Oe, SMD, Nrnd

LVCMOS,LVTTL XO(标准) 1.8V 启用/禁用 4-SMD,无引线


立创商城:
66.666667MHz ±20ppm


得捷:
MEMS OSC XO 66.666667MHZ LVCMOS


SIT8918AE-11-18E-66.666667E中文资料参数规格
技术参数

频率 66.666667 MHz

频率稳定度 ±20 ppm

电源电压 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SIT8918AE-11-18E-66.666667E引脚图与封装图
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在线购买SIT8918AE-11-18E-66.666667E
型号 制造商 描述 购买
SIT8918AE-11-18E-66.666667E SiTime 1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 1.8V, 66.666667MHz, Oe, SMD, Nrnd 搜索库存
替代型号SIT8918AE-11-18E-66.666667E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8918AE-11-18E-66.666667E

品牌: SiTime

封装:

当前型号

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 1.8V, 66.666667MHz, Oe, SMD, Nrnd

当前型号

型号: SIT8918BE-11-18E-66.666667E

品牌: SiTime

封装:

完全替代

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 1.8V, 66.666667MHz, Oe, SMD

SIT8918AE-11-18E-66.666667E和SIT8918BE-11-18E-66.666667E的区别