SH8KA4TB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体主动器件

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 9A 3W Surface Mount 8-SOP

得捷:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

贸泽:
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, 表面安装

SH8KA4TB中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 640pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

SH8KA4TB引脚图与封装图

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SH8KA4TB	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V	搜索库存