SH8KA2GZETB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1 V, 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 ±30 V
连续漏极电流Ids 8A
输入电容Ciss 330pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
封装 SOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SH8KA2GZETB引脚图
SH8KA2GZETB封装图
SH8KA2GZETB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SH8KA2GZETB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |