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SMBTA14E6327

SMBTA14E6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

SOT-23 NPN 30V 0.3A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANSISTOR DARLINGTON NPN 30V


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


SMBTA14E6327中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 10000 @10mA, 5V

额定功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBTA14E6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMBTA14E6327 Infineon 英飞凌 SOT-23 NPN 30V 0.3A 搜索库存
替代型号SMBTA14E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMBTA14E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 NPN

当前型号

SOT-23 NPN 30V 0.3A

当前型号

型号: SMBTA14

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistors

SMBTA14E6327和SMBTA14的区别

型号: MMBTA14-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 NPN 30V 100mA 300mW

功能相似

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型号: MMBTA14-TP

品牌: 美微科

封装: TO-236-3 NPN 30V 300mA 225mW

功能相似

达林顿晶体管 300mA 30V

SMBTA14E6327和MMBTA14-TP的区别