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SMCJ130A-M3/9AT

SMCJ130A-M3/9AT

数据手册.pdf

Diode TVS Single Uni-Dir 130V 1.5kW 2Pin SMC T/R

209V Clamp 7.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AB SMC


得捷:
TVS DIODE 130V 209V DO214AB


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 130V 1.5KW 2-Pin SMC T/R


SMCJ130A-M3/9AT中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 209 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 144 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SMCJ130A-M3/9AT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMCJ130A-M3/9AT Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 130V 1.5kW 2Pin SMC T/R 搜索库存
替代型号SMCJ130A-M3/9AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMCJ130A-M3/9AT

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AB

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 130V 1.5kW 2Pin SMC T/R

当前型号

型号: SMCJ130A-E3/57T

品牌: 威世

封装: DO-214AB

完全替代

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 1500W,SMCJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

SMCJ130A-M3/9AT和SMCJ130A-E3/57T的区别

型号: SMCJ130A-E3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 130V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ130A-M3/9AT和SMCJ130A-E3/9AT的区别

型号: SMCJ130A

品牌: 伯恩斯

封装: DO-214AB

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