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STH290N4F6-6AG

STH290N4F6-6AG

数据手册.pdf

H2PAK N-CH 40V 180A

N-Channel 40V 180A Tc 300W Tc Surface Mount H2PAK-6


得捷:
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6


贸泽:
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


STH290N4F6-6AG中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.7 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 180A

上升时间 116 ns

输入电容Ciss 7380pF @25VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STH290N4F6-6AG引脚图与封装图
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STH290N4F6-6AG ST Microelectronics 意法半导体 H2PAK N-CH 40V 180A 搜索库存