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SIT8008BI-12-33E-28.636360E

SIT8008BI-12-33E-28.636360E

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

贴片有源晶振 2520 28.63636MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

28.63636MHz XO Standard HCMOS, LVCMOS Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead


立创商城:
28.63636MHz ±25ppm


得捷:
MEMS OSC XO 28.63636MHZ H/LVCMOS


艾睿:
Oscillator MEMS 28.63636MHz ±25ppm Stability 15pF HCMOS/LVCMOS 55% 3.3V Medical 4-Pin QFN SMD T/R


SIT8008BI-12-33E-28.636360E中文资料参数规格
技术参数

频率 28.63636 MHz

频率稳定度 ±25 ppm

负载电容 15 pF

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 2520

外形尺寸

封装 2520

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SIT8008BI-12-33E-28.636360E引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIT8008BI-12-33E-28.636360E SiTime 贴片有源晶振 2520 28.63636MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C 搜索库存
替代型号SIT8008BI-12-33E-28.636360E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8008BI-12-33E-28.636360E

品牌: SiTime

封装: 2520

当前型号

贴片有源晶振 2520 28.63636MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

当前型号

型号: SIT8008AI-12-33E-28.636360E

品牌: SiTime

封装:

完全替代

Programmable, Low Power Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 25ppm, 3.3V, 28.63636MHz, Oe, SMD, Nrnd

SIT8008BI-12-33E-28.636360E和SIT8008AI-12-33E-28.636360E的区别