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SIT8008BI-22-33E-8.000000G

SIT8008BI-22-33E-8.000000G

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

振荡器, MEMS, 8 MHz, SMD, 3.2mm x 2.5mm, 25 ppm, 3.3 V, SiT8008 Series, LVCMOS / HCMOS

8MHz XO Standard HCMOS, LVCMOS Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead


立创商城:
8MHz ±25ppm


得捷:
MEMS OSC XO 8.0000MHZ H/LV-CMOS


SIT8008BI-22-33E-8.000000G中文资料参数规格
技术参数

频率 8 MHz

频率稳定度 ±25 ppm

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SIT8008BI-22-33E-8.000000G引脚图与封装图
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在线购买SIT8008BI-22-33E-8.000000G
型号 制造商 描述 购买
SIT8008BI-22-33E-8.000000G SiTime 振荡器, MEMS, 8 MHz, SMD, 3.2mm x 2.5mm, 25 ppm, 3.3 V, SiT8008 Series, LVCMOS / HCMOS 搜索库存
替代型号SIT8008BI-22-33E-8.000000G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8008BI-22-33E-8.000000G

品牌: SiTime

封装: 3225

当前型号

振荡器, MEMS, 8 MHz, SMD, 3.2mm x 2.5mm, 25 ppm, 3.3 V, SiT8008 Series, LVCMOS / HCMOS

当前型号

型号: SIT8008AI-22-33E-8.000000G

品牌: SiTime

封装: 4-SMD

完全替代

Programmable, Low Power Oscillator, -40℃ to 85℃, 3225, 25ppm, 3.3V, 8MHz, Oe, SMD, Nrnd

SIT8008BI-22-33E-8.000000G和SIT8008AI-22-33E-8.000000G的区别

型号: SIT8008BI-22-33E-8.000000D

品牌: SiTime

封装: 3225

类似代替

贴片有源晶振 3225 8MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

SIT8008BI-22-33E-8.000000G和SIT8008BI-22-33E-8.000000D的区别

型号: SIT8008BI-22-33E-8.000000E

品牌: SiTime

封装: 3225

类似代替

贴片有源晶振 3225 8MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

SIT8008BI-22-33E-8.000000G和SIT8008BI-22-33E-8.000000E的区别