SI3454CDV-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI3454CDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.25W Ta, 1.5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 305pF @15VVds
耗散功率Max 1.25W Ta, 1.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3454CDV-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3454CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP | 搜索库存 |
替代型号SI3454CDV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3454CDV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP-6 | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP | 当前型号 |
| 型号： SI3454CDV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP-6 | 完全替代 | MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP | SI3454CDV-T1-E3和SI3454CDV-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI3454ADV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP | 类似代替 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.048Ω; ID 3.4A; TSOP-6; PD 1.14W; VGS +/-20V | SI3454CDV-T1-E3和SI3454ADV-T1-E3的区别 |
| 型号： SI3454ADV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP | 类似代替 | MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP | SI3454CDV-T1-E3和SI3454ADV-T1-GE3的区别 |