SQD50N04-09H-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SQD50N04-09H-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3.8 V
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 4240pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQD50N04-09H-GE3引脚图与封装图
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在线购买SQD50N04-09H-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD50N04-09H-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | 搜索库存 |
替代型号SQD50N04-09H-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQD50N04-09H-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 N-Channel | 当前型号 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | 当前型号 |
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