SUP90N08-6M8P-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SUP90N08-6M8P-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.75W Ta, 272W Tc
漏源极电压Vds 75 V
输入电容Ciss 4620pF @30VVds
耗散功率Max 3.75W Ta, 272W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SUP90N08-6M8P-E3引脚图与封装图
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在线购买SUP90N08-6M8P-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUP90N08-6M8P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB | 搜索库存 |
替代型号SUP90N08-6M8P-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUP90N08-6M8P-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220AB | 当前型号 | MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB | 当前型号 |
| 型号： M7P 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | TRANSISTOR 90 A, 75 V, 0.0077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power | SUP90N08-6M8P-E3和M7P的区别 |