SMBJ36CHE3/52中文资料参数规格
技术参数
工作电压 36 V
击穿电压 40 V
耗散功率 1 W
钳位电压 64.3 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 40 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ36CHE3/52引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ36CHE3/52
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ36CHE3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 36V 10% Bidir AEC-Q101 Qualified | 搜索库存 |
替代型号SMBJ36CHE3/52
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ36CHE3/52 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 36V 10% Bidir AEC-Q101 Qualified | 当前型号 |
| 型号： SMBJ36CHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | TVS BIDIR 600W 36V 10% SMB | SMBJ36CHE3/52和SMBJ36CHE3/5B的区别 |
| 型号： SMBJ36CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 功能相似 | Diode TVS Single Bi-Dir 36V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ36CHE3/52和SMBJ36CAHE3/52的区别 |
| 型号： SMBJ36C 品牌： Galaxy Semi-Conductor 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN | SMBJ36CHE3/52和SMBJ36C的区别 |