SMCJ30HE3/57T中文资料参数规格
技术参数
工作电压 30 V
击穿电压 33.3 V
钳位电压 53.5 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 33.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ30HE3/57T引脚图与封装图
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在线购买SMCJ30HE3/57T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJ30HE3/57T | Vishay Semiconductor 威世 | TVS 1.5kW UNIDIR 30V 10% SMC | 搜索库存 |
替代型号SMCJ30HE3/57T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJ30HE3/57T 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS 1.5kW UNIDIR 30V 10% SMC | 当前型号 |
| 型号： SMCJ30AHE3/57T 品牌： 威世 封装： DO-214AB | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ30HE3/57T和SMCJ30AHE3/57T的区别 |
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| 型号： 1.5SMC36ALEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30.8V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMC, 2 PIN | SMCJ30HE3/57T和1.5SMC36ALEADFREE的区别 |