SUP70N03-09BP-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SUP70N03-09BP-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 9.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 93W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
耗散功率Max 93W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SUP70N03-09BP-E3引脚图与封装图
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在线购买SUP70N03-09BP-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUP70N03-09BP-E3 | Vishay Siliconix | Transistor MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |
替代型号SUP70N03-09BP-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUP70N03-09BP-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220AB N-Channel 50A 9mΩ | 当前型号 | Transistor MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin3+Tab TO-220AB | 当前型号 |
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| 型号： SUP70N03-09BP 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | SUP70N03-09BP-E3和SUP70N03-09BP的区别 |
| 型号： SUP70N03-09P 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220 N-Channel 70A to 70A 9mΩ | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | SUP70N03-09BP-E3和SUP70N03-09P的区别 |