SQJQ402E-T1_GE3
数据手册.pdfVishay Semiconductor(威世)
电子元器件分类
SQJQ402E-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.0013 Ω
耗散功率 150 W
阈值电压 1.5 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 15 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAK-8x8L-4
外形尺寸
封装 PowerPAK-8x8L-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQJQ402E-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJQ402E-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N-CH 40V 200A 1,7mOhm PPAK 8x8L ** | 搜索库存 |