STGIPQ5C60T-HZS
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
耗散功率 13.6 W
隔离电压 1500 Vrms
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 13.6 W
安装方式 Through Hole
引脚数 26
封装 N2DIP-26L
封装 N2DIP-26L
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STGIPQ5C60T-HZS | ST Microelectronics 意法半导体 | SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5A, 600V short-circuit rugged IGBTs | 搜索库存 |