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SIT8008BI-82-33E-100.000000Y

SIT8008BI-82-33E-100.000000Y

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

贴片有源晶振 7050 100MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

100MHz XO Standard HCMOS, LVCMOS Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead


立创商城:
100MHz ±25ppm


得捷:
MEMS OSC XO 100.0000MHZ H/LVCMOS


艾睿:
Oscillator MEMS 100MHz ±25ppm Stability 15pF HCMOS/LVCMOS 55% 3.3V Medical 4-Pin QFN SMD T/R


SIT8008BI-82-33E-100.000000Y中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

频率稳定度 ±25 ppm

负载电容 15 pF

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SIT8008BI-82-33E-100.000000Y引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIT8008BI-82-33E-100.000000Y SiTime 贴片有源晶振 7050 100MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C 搜索库存
替代型号SIT8008BI-82-33E-100.000000Y
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8008BI-82-33E-100.000000Y

品牌: SiTime

封装: 7050

当前型号

贴片有源晶振 7050 100MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

当前型号

型号: SIT8008BI-82-33E-100.000000X

品牌: SiTime

封装: 4-SMD

完全替代

贴片有源晶振 7050 100MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

SIT8008BI-82-33E-100.000000Y和SIT8008BI-82-33E-100.000000X的区别

型号: SIT8008AI-82-33E-100.000000Y

品牌: SiTime

封装: SMD-7050_4P

完全替代

100MHz ±25ppm 3.3V

SIT8008BI-82-33E-100.000000Y和SIT8008AI-82-33E-100.000000Y的区别