STS9P3LLH6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 12 mΩ
耗散功率 2.7 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 93 ns
输入电容Ciss 2615pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STS9P3LLH6引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STS9P3LLH6 | ST Microelectronics 意法半导体 | P-channel -30V, 12mOhm typ., -9A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package | 搜索库存 |