STGW10M65DF2

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247

得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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STGW10M65DF2

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IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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Trans IGBT Chip N 650V 20A 3-Pin TO-247 Tube

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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Through Hole TO-247-3

STGW10M65DF2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 115 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 96 ns

额定功率Max 115 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGW10M65DF2引脚图与封装图

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