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SIT8918AE-11-33S-11.059200D

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 11.0592MHz, St, SMD, Nrnd

LVCMOS,LVTTL XO(标准) 3.3V 待机 (断电) 4-SMD,无引线


立创商城:
11.0592MHz ±20ppm


得捷:
MEMS OSC XO 11.0592MHZ LVCMOS LV


SIT8918AE-11-33S-11.059200D中文资料参数规格
技术参数

频率 11.0592 MHz

频率稳定度 ±20 ppm

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SIT8918AE-11-33S-11.059200D引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIT8918AE-11-33S-11.059200D SiTime 1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 11.0592MHz, St, SMD, Nrnd 搜索库存
替代型号SIT8918AE-11-33S-11.059200D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8918AE-11-33S-11.059200D

品牌: SiTime

封装:

当前型号

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 11.0592MHz, St, SMD, Nrnd

当前型号

型号: SIT8918BE-11-33S-11.059200D

品牌: SiTime

封装:

完全替代

1-110MHz, High Temperature Oscillator, -40 To 105c, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 11.0592MHz, St, SMD

SIT8918AE-11-33S-11.059200D和SIT8918BE-11-33S-11.059200D的区别