SIHB25N50E-GE3中文资料参数规格
技术参数
上升时间 36 ns
下降时间 29 ns
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIHB25N50E-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHB25N50E-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | SIHB25N50E 系列 500 V 26 A 表面贴装 功率 MOSFET - D2PAK TO-263 | 搜索库存 |