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SMAJ11AHE3/5A
SMAJ11AHE3/5A中文资料参数规格
技术参数

工作电压 11 V

击穿电压 12.2 V

钳位电压 18.2 V

脉冲峰值功率 400 W

最小反向击穿电压 12.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMAJ11AHE3/5A引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SMAJ11AHE3/5A Vishay Semiconductor 威世 Diode TVS Single Uni-Dir 11V 400W 2Pin SMA T/R 搜索库存
替代型号SMAJ11AHE3/5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMAJ11AHE3/5A

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214

当前型号

Diode TVS Single Uni-Dir 11V 400W 2Pin SMA T/R

当前型号

型号: SMAJ11A-E3/61

品牌: 威世

封装: DO-214AC

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 11V 400W 2Pin SMA T/R

SMAJ11AHE3/5A和SMAJ11A-E3/61的区别

型号: SMAJ11A-M3/5A

品牌: 威世

封装:

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 400W,11V 5%,UNIDIR,SMA TVS

SMAJ11AHE3/5A和SMAJ11A-M3/5A的区别

型号: SMAJ11A-M3/61

品牌: 威世

封装:

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 11V 400W 2Pin SMA T/R

SMAJ11AHE3/5A和SMAJ11A-M3/61的区别