STGB4M65DF2

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK

得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

儒卓力:
**IGBT 650V 4A 1,6V D2PAK **

STGB4M65DF2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 68000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 133 ns

额定功率Max 68 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STGB4M65DF2引脚图与封装图

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