SH8K32GZETB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SH8K32GZETB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 18 ns
下降时间 13 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS-conform
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
SH8K32GZETB引脚图与封装图
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在线购买SH8K32GZETB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号SH8K32GZETB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SH8K32GZETB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP Dual N-Channel 60V 4.5A | 当前型号 | 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： SH8M51GZETB 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 1个N沟道和1个P沟道 100V 2.5A 3A | SH8K32GZETB和SH8M51GZETB的区别 |
| 型号： 534FC002400DG 品牌： 芯科 封装： | 功能相似 | 晶体 200MHz ±7ppm | SH8K32GZETB和534FC002400DG的区别 |