STL36DN6F7

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

60V 36A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 33A Tc 58W Surface Mount PowerFlat™ 5x6

得捷:
MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin Power Flat EP T/R

儒卓力:
**N+N-CH 60V 36A 27mOhm PwFLAT5x6 **

STL36DN6F7中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 58000 mW

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 36A

上升时间 3.25 ns

输入电容Ciss 420pF @30VVds

额定功率Max 58 W

下降时间 3.95 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 58000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

STL36DN6F7引脚图与封装图

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