STL92N10F7AG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 100 W
输入电容 3100 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 3100pF @50VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5W Ta, 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
STL92N10F7AG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL92N10F7AG | ST Microelectronics 意法半导体 | STL92N10F7 系列 100 V 0.0095 Ohm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet -PowerFlat-5x6 | 搜索库存 |