SPD50P03L
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Infineon
英飞凌
主动器件
SPD50P03L中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 P-CH
阈值电压 2 V
输入电容 4.56 nF
栅电荷 178 nC
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 21.7 ns
输入电容Ciss 4590pF @25VVds
下降时间 104 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
SPD50P03L引脚图与封装图
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在线购买SPD50P03L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPD50P03L | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS - P电源 - 晶体管 OptiMOS-P Power - Transistor | 搜索库存 |
替代型号SPD50P03L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD50P03L 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-5 P-CH | 当前型号 | 的OptiMOS - P电源 - 晶体管 OptiMOS-P Power - Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPD50P03LG 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 P-Channel 30V 50A 6.88nF | 功能相似 | 30V,-50A,P沟道功率MOSFET | SPD50P03L和SPD50P03LG的区别 |