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SGB15N60HS

SGB15N60HS

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
SGB15N60HS中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 138000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SGB15N60HS引脚图与封装图
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在线购买SGB15N60HS
型号 制造商 描述 购买
SGB15N60HS Infineon 英飞凌 高速IGBT在NPT技术 High Speed IGBT in NPT-technology 搜索库存
替代型号SGB15N60HS
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SGB15N60HS

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-2

当前型号

高速IGBT在NPT技术 High Speed IGBT in NPT-technology

当前型号

型号: IGB20N60H3

品牌: 英飞凌

封装: TO-263-3

类似代替

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin TO-263 T/R

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型号: IRG4PC50UDPBF

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品牌: 英飞凌

封装: TO-247AC 200000mW

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