SIGC104T170R2C
Infineon
英飞凌
分立器件
SIGC104T170R2C中文资料参数规格
其他
IC max 50.0A
漏源极电压Vds 1700V
tr 0.1ns
VCEsat max 3.2 V
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 WAFER SAWN
tf 0.03 ns
VGEth min max 4.5 V 6.5 V
Technology IGBT2 Low Loss
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIGC104T170R2C引脚图与封装图
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