S29GL512T11DHIV10中文资料参数规格
技术参数
位数 8, 16
存取时间 110 ns
存取时间Max 110 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 64
封装 BGA-64
外形尺寸
封装 BGA-64
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 3A991.b.1.a
S29GL512T11DHIV10引脚图与封装图
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在线购买S29GL512T11DHIV10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| S29GL512T11DHIV10 | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 64Pin Fortified BGA Tray | 搜索库存 |
替代型号S29GL512T11DHIV10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： S29GL512T11DHIV10 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： LBGA | 当前型号 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 64Pin Fortified BGA Tray | 当前型号 |
| 型号： S29GL512S11DHIV10 品牌： 赛普拉斯 封装： BGA-64 64000000B | 功能相似 | 闪存, 或非, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚 | S29GL512T11DHIV10和S29GL512S11DHIV10的区别 |