STD180N4F6中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 130 W
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 7735pF @25VVds
下降时间 57 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD180N4F6引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD180N4F6 | ST Microelectronics 意法半导体 | N-沟道 40 V 2.8 mOhm 表面贴装 STripFET™ F6 功率 Mosfet - DPAK-3 | 搜索库存 |