STD5N60DM2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.38 Ω
极性 N-CH
耗散功率 45 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 4.1 ns
输入电容Ciss 375pF @100VVds
下降时间 19.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STD5N60DM2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD5N60DM2 | ST Microelectronics 意法半导体 | N-沟道 600 V 1.55 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3 | 搜索库存 |