STP200N3LL

ST Microelectronics(意法半导体) 分立器件

N-沟道 30 V 2.4 mOhm 法兰安装 N-沟道功率 MOSFET - TO-220-3

通孔 N 通道 120A（Tc） 176.5W（Tc） TO-220

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MOSFET N-CH 30V 120A TO220

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N沟道 30V 120A

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

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STP200N3LL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 176.5 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 183 ns

输入电容Ciss 5200pF @25VVds

下降时间 108 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STP200N3LL引脚图与封装图

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