SP8M4TB中文资料参数规格
技术参数
额定电流 9.00 A
通道数 2
漏源极电阻 18 mΩ
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 50.0 ns
输入电容Ciss 1190pF @10VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SP8M4TB引脚图与封装图
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在线购买SP8M4TB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SP8M4TB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8Pin SOP T/R | 搜索库存 |
替代型号SP8M4TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SP8M4TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP-8 30V 7A | 当前型号 | Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8Pin SOP T/R | 当前型号 |
| 型号： SP8M4FU6TB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N-Channel 7A | 类似代替 | ROHM SP8M4FU6TB 双路场效应管, MOSFET, 双路低栅极驱动器, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V | SP8M4TB和SP8M4FU6TB的区别 |
| 型号： SP8M4 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N+P 30V 9A 7A | 功能相似 | 开关 Switching | SP8M4TB和SP8M4的区别 |