![SMBJ11CAHE3/52](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_358/chanpintu/smbj11cahe352-NLJfMHGi-3jdJvgQ7q.png)
工作电压 11 V
击穿电压 13.5 V
耗散功率 600 W
钳位电压 18.2 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 12.2 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
封装 DO-214AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMBJ11CAHE3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 11V 600W 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMBJ11CAHE3/52 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 11V 600W 2Pin SMB T/R | 当前型号 | |
型号: SMBJ11CA-E3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor | SMBJ11CAHE3/52和SMBJ11CA-E3/52的区别 | |
型号: SMBJ11CA-M3/52 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | ESD Suppressors / TVS Diodes 600W,11V 5%,BIDIR,SMB TVS | SMBJ11CAHE3/52和SMBJ11CA-M3/52的区别 | |
型号: SMBJ11CA-M3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214AA | 完全替代 | Tvs Diode 11vwm 18.2vc Do-215aa | SMBJ11CAHE3/52和SMBJ11CA-M3/5B的区别 |