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SMCJ33A-M3/9AT

SMCJ33A-M3/9AT

数据手册.pdf
SMCJ33A-M3/9AT中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 36.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

SMCJ33A-M3/9AT引脚图与封装图
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在线购买SMCJ33A-M3/9AT
型号 制造商 描述 购买
SMCJ33A-M3/9AT Vishay Semiconductor 威世 ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5kW,33V 5%,UNIDIR,SMC TVS 搜索库存
替代型号SMCJ33A-M3/9AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMCJ33A-M3/9AT

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-214AB

当前型号

ESD Suppressors / TVS Diodes 1.5kW,33V 5%,UNIDIR,SMC TVS

当前型号

型号: SMCJ33A-E3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214AB

完全替代

TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 1500W,SMCJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

SMCJ33A-M3/9AT和SMCJ33A-E3/9AT的区别

型号: SMCJ33AHE3/57T

品牌: 威世

封装: DO-214AB

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 33V 1.5kW Automotive 2Pin SMC T/R

SMCJ33A-M3/9AT和SMCJ33AHE3/57T的区别

型号: SMCJ33AHE3/9AT

品牌: 威世

封装: DO-214

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 33V 1.5kW 2Pin SMC T/R

SMCJ33A-M3/9AT和SMCJ33AHE3/9AT的区别