SIHH14N65E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 0.225 Ω
耗散功率 156 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 5
封装 PowerPAK
外形尺寸
封装 PowerPAK
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHH14N65E-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIHH14N65E-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHH14N65E-T1-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.225 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |