SM8S10HE3/2D中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 6600 W
最小反向击穿电压 11.1 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-218AB
外形尺寸
长度 13.7 mm
封装 DO-218AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SM8S10HE3/2D引脚图与封装图
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在线购买SM8S10HE3/2D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SM8S10HE3/2D | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Uni-Dir 10V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/R | 搜索库存 |
替代型号SM8S10HE3/2D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SM8S10HE3/2D 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-218AB | 当前型号 | Diode TVS Single Uni-Dir 10V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/R | 当前型号 |
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