SQJ200EP-T1_GE3
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Vishay Siliconix
主动器件
SQJ200EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 27 W
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 975pF @10VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAKSO-8L-4
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8L-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQJ200EP-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO | 搜索库存 |